住友商事マシネックス株式会社 ICTソリューション部 ICTソリューションチーム

光・電子デバイス／光トランシーバ

光トランシーバ｜発光／受光デバイス・素子｜高機能・高集積デバイス｜ワイヤレス通信用デバイス

製品の特長・用途

光トランシーバ

  • 国内外での豊富な採用実績
  • 高品質保証、短納期対応実現
  • 高速から低速、長距離から短距離まで幅広いラインアップ
  • 分野、用途に応じた最適な製品の提案
　 　
ラインアップ 距離 波長 温度
Data Center 400Gbps QSFP-DD 100m～10km 850nm～1330nm C-temp
200Gbps CFP2 10km～40km 850nm～1330nm C-temp
100Gbps QSFP28 100m～10km 850nm～1330nm C-temp
100Gbps SFP-DD 100m 850nm C-temp
50Gbps QSFP+ 100m～10km 850nm～1330nm C-temp
25Gbps SFP28 100m 850nm C-temp
10Gbps SFP+ 100m～300m 850nm C-temp、H-temp
AOC各種 1m～100m 850nm C-temp
Telecom 100Gbps QSFP28 2km～10km WDM、1270nm～1330nm C-temp、I-temp
25Gbps SFP28 10km 1310nm C-temp、H-temp
10Gbps SFP+ 1km～80km 1310nm～1550nm C-temp、H-temp
1Gbps SFP 500m～15km 850nm～1310nm C-temp、H-temp
Wireless 100Gbps QSFP28 100m～40km 850nm～1310nm C-temp、H-temp
25Gbps SFP28 100m～10km 850nm～1330nm C-temp、H-temp
10Gbps SFP+ 300m～10km 850nm～1310nm C-temp、H-temp
Access 25Gbps EPON ONU SFP28 20km 1260nm～1310nm C-temp
25Gbps BIDI SFP28 10km 1270nm～1310nm C-temp、H-temp
10Gbps EPON ONU SFP+ 20km 1270nm～1310nm C-temp、H-temp
10Gbps EPON OLT SFP+ 20km 1490nm～1577nm C-temp、H-temp
10Gbps EPON OLT XFP 20km 1490nm～1577nm C-temp、H-temp
10Gbps BIDI SFP+ 10km～40km 1270nm～1310nm C-temp、H-temp
1Gbps EPON ONU SFP 20km 1310nm C-temp、H-temp
1Gbps EPON OLT SFP 20km 1310nm C-temp、H-temp
1Gbps GPON ONU SFP 20km 1310nm C-temp、H-temp
1Gbps GPON OLT SFP 20km 1490nm C-temp、H-temp
  • データセンター
  • 基地局
  • FTTｘ
  • CATV

発光／受光デバイス・素子

  • グローバルでの豊富な採用実績
  • InPからシリコンフォトニクスまで高品質・低コスト製品の提供
  • 長距離から短距離までをカバーする幅広いラインアップ
  • 希望仕様に沿ったカスタマイズも可能
　 　 　
ラインアップ 波長 備考
10Gbps DFB CAN 1270nm～1330nm －
10Gbps EML TOSA 800nm～1600nm －
25Gbps EML TOSA 1286.66nm～1563.05nm －
25Gbps APD ROSA 1260nm～1380nm 感度：-16 @2E-4（dBm）
Overload：-2 @2E-4（dBm）
25Gbps PIN ROSA 1260nm～1380nm 感度：-11.5 @2E-4（dBm）
Overload：+4 @2E-4（dBm）
10Gbps APD ROSA 1260nm～1550nm －
25Gbps APD TO-CAN 1260nm～1340nm For ROSA and BIDI
25Gbps PIN TO-CAN 1260nm～1380nm For ROSA and BIDI
10Gbps APD TO-CAN 1260nm～1565nm For ROSA and BIDI
25Gbps APD Chip 830nm～1380nm Active Diameter：16μm～20μm
25Gbps PD Chip 1260nm～1380nm Active Diameter：20μm
10Gbps APD Chip 1260nm～1565nm Active Diameter：20μm
10Gbps PD Chip 1260nm～1360nm Active Diameter：20μm

高機能・高集積デバイス

  • グローバルでの豊富な採用実績
  • AccessからMetro、Long Haul向けデバイスの提案
  • 高機能かつ高集積を実現
  • 低コスト・高性能・高密度実装実現可能な「μ-ICR」（コヒーレント用レシーバ）
ラインアップ 仕様
SOA（Semiconductor Optical Amplifier） 波長：1294～1311nm
温度：-5～75℃
Optical Interface：Pigtail（in & out）, LC connector
Micro-ITLA 出力：17（dBm）
消費電力：5（W）
Tuning range：191.35～196.10（THｚ）
Integrated Coherent Receiver（ICR） 波長：1527～1567nm
温度：-5～95℃
※希望仕様等、詳細についてはお問合せください。

ワイヤレス通信用デバイス

  • グローバルでの採用実績が豊富で信頼性の高い、高品質製品
  • Siの性能指数1130倍を誇る次世代パワー半導体「GaN」
  • 高効率化実現、高周波数帯対応可
  • 移動体通信、衛星通信、基地局間通信等の広帯域・大容量の無線通信システムおよび気象観測・航空管制レーダーでの幅広い分野で活躍
ラインアップ Freq.（GHz） Output Power（W） VDS/VDD（V） IDS（DC）/lDS（RF）/
IDD（DC）
基地局間通信 GaN HEMTs 5.85～14.5 30～130 24 1.7～10（A）
GaAs FETs 1.5~14.5 23～45 10 180～6000（mA）
GaAs MMICs 3.4～29.5 23～33 6～10 300～1400（mA）
衛星通信 GaN HEMTs 5.85～14.5 30～130 24 1.7～10（A）
GaAs FETs 1.5~14.5 23～45 10 180～6000（mA）
GaAs MMICs 3.4～29.5 23～33 6～10 300～1400（mA）
車載・船舶・
航空監視レーダー		 GaN HEMTs 1.2～12 50～300 24～50 0.2～5.3（A）
GaAs MMICs 3.4～86 16～33 3～6 150～1500（mA）
IoT・無線・その他 GaN HEMTs 0.9～5 50～150 50 100～650（mA）